Elektrische Schutz in Rechenzentren Siemens und Infineon setzen auf Siliziumkarbid

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Infineon und Siemens arbeiten gemeinsam an der Weiterentwicklung von Halbleiter-Leistungsschaltertechnologie für Rechenzentren, Produktionsanlagen und Batteriespeichersysteme. Dabei setzen sie unter anderem auf Siliziumkarbid.

Dabei geht es um Semiconductor-Circuit-Breaker. Das sind schnell schaltende, halbleiterbasierte Leistungsschalter, die Stromkreise und elektrische Bauteile vor Schäden durch Kurzschlüsse oder Überlast schützen. Die Siliziumkarbid‑Leistungsmodule (SIC) von Infineon sollen die Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit des Leistungsschalters von Siemens verbessern. Dediziert geht es um den Halbleiter-Leistungsschalter „Sentron 3QD2“.

Andreas Weisl, Executive Vice President und Chief Sales Officer Industrial & Infrastructure bei Infineon, erläutert:„KI-Rechenzentren und Fabriken werden zunehmend elektrifiziert und immer komplexer. Das erhöht die Anfälligkeit für elektrische Störungen und treibt die Nachfrage nach nachhaltigeren, effizienteren und zuverlässigeren Stromverteilungssystemen. “

SIC-Breaker, auch Solid-State-Circuit-Breaker genannt, sind Halbleiter-Leistungsschalter, die Stromkreise vor Schäden durch übermäßigen Stromfluss schützen, wie sie zum Beispiel durch Kurzschlüsse oder Überlast entstehen. Im Gegensatz zu herkömmlichen elektromechanischen Schutzschaltern, die zur Unterbrechung des Stromflusses auf mechanische Komponenten setzen und typischerweise im Millisekundenbereich arbeiten, verwendet der Siemens Sentron 3QD2 für diese Funktion Halbleiterkomponenten und intelligente Schutzalgorithmen.

Abschalten im Mikrosekundenbereich

Damit ermöglicht er ein ultraschnelles Abschalten im Mikrosekundenbereich, bis zu 1.000-mal schneller als herkömmliche Systeme. Diese Fähigkeit ist für Gleichstromnetze (DC) unabdingbar und sorgt für eine deutliche Verbesserung von Schutz und Systemverfügbarkeit. In Anwendungen wie der industriellen Fertigung oder KI-Rechenzentren, wo im Fall von Stromfehlern selbst geringe Verzögerungen zu teuren Ausfallzeiten, Datenverlust oder kostspieligen Hardwareschäden führen können, ist das von entscheidender Bedeutung.

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Markus Grabmeier, CEO Electrical Products bei Siemens Smart Infrastructure, führt aus: „Unser neues Gleichstrom-Portfolio bietet innovative Lösungen, die nicht nur die Energie-Effizienz verbessern, sondern auch die Entwicklung resilienter, zukunftssicherer Infrastrukturen ermöglichen.“ Gleichstromanwendungen könnten den Energieverbrauch senken und den Materialeinsatz deutlich reduzieren. Durch die Integration von Batteriespeichern lasse sich zudem der Spitzenstrombedarf erheblich verringern.

Die Zusammenarbeit adressiert die steigenden Anforderungen kritischer Infrastrukturen, bei denen Geschwindigkeit, Präzision und Zuverlässigkeit entscheidend sind. Durch die Integration des „62‑mm-Cool SIC“ Mosfet-Moduls 1200 V von Infineon in die Schutzkonzepte von Siemens könnten die Unternehmen selbst einen Beitrag zu widerstandsfähigeren, effizienteren und zukunftssicheren Energie-Infrastrukturen leisten.

Eine Demo des Halbleiter-Leistungsschalters Sentron 3QD2 von Siemens wird auf der „PCIM Europe 2026“ in Nürnberg vom 9. bis 11. Juni am Infineon-Stand (Halle 7, Stand 470) zu sehen sein.

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