Weiterentwicklung der Energie-Infrastruktur für KI-Rechenzentren Infineon und DG Matrix nutzen Siliziumkarbid-Technologie

Quelle: Pressemitteilung Infineon Technologies AG 2 min Lesedauer

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Die Infineon Technologies AG und DG Matrix, Anbieter von Solid‑State‑Transformatoren (SSTs),wollen gemeinsam die Effizienz der Stromumwandlung bei der Anbindung insbesondere von KI‑Rechenzentren an das öffentliche Stromnetz steigern.

Sliliziumkarbit gilt generell als vielversprechendes Material für Chips, insbesondere KI-Chips. (Bild: ©  Pichapob - stock.adobe.com / KI-generiert)
Sliliziumkarbit gilt generell als vielversprechendes Material für Chips, insbesondere KI-Chips.
(Bild: © Pichapob - stock.adobe.com / KI-generiert)

Es geht bei der Zusammenarbeit um die Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit der Solid‑State‑Transformer‑Plattform „Interport“ von DG Matrix. Diese werden mit Siliziumkarbid‑Leistungshalbleiter von Infineon bestückt. SSTs sind Leistungsumrichter, die konventionelle Transformatoren durch halbleiterbasierte Elektronik ersetzen und dadurch eine wesentlich effizientere Energieumwandlung ermöglichen.

Andreas Weisl, Executive Vice President und Chief Sales Officer Industrial & Infrastructure bei Infineon, erläutert: „KI‑Rechenzentren und Elektrifizierungssysteme der nächsten Generation erfordern eine höhere Effizienz, größere Leistungsdichte und kompromisslose Zuverlässigkeit. Solid-State-Technologie kann mithilfe der führenden SiC-Leistungshalbleiter von Infineon dieses neue Leistungsniveau bereitstellen.“

SSTs ersetzen konventionelle Transformatoren auf Kupfer‑ und Eisenbasis. Sie ermöglichen eine höhere Effizienz, deutlich größere Leistungsdichte, also: verringerte Größe und geringeres Gewicht, und verbessern die Skalierbarkeit. Im Vergleich zu konventionellen Transformatoren sind SSTs bis zu 14‑mal kleiner und bis zu 40‑mal leichter [1] und können deutlich schneller bereitgestellt werden. Der Vergleich beruht auf Schätzungen von Infineon und bezieht sich auf einen Multi-Modular Inverter, Dual-Stage mit Hochfrequenztransformator.

Siliziumkarbid‑Leistungshalbleiter von Infineon können sie Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit der Solid‑State‑Transformer‑Plattform von DG Matrix vebessern. (Bild:  Infineon technologies AG)
Siliziumkarbid‑Leistungshalbleiter von Infineon können sie Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit der Solid‑State‑Transformer‑Plattform von DG Matrix vebessern.
(Bild: Infineon technologies AG)

Insofern gelten SSTs als zentrale Zukunftstechnologie, um das öffentliche Stromnetz mit Energie-intensiven und industriellen Anwendungen wie KI-Rechenzentren zu verbinden und dabei aktiv Spannung, Stromqualität und Energiefluss zu steuern. Sie ermöglichen eine direkte Umwandlung von Mittelspannungen aus dem Netz in Niederspannungen, wie sie unter anderem von KI-Rechenzentren, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, erneuerbaren Energiesystemen und industriellen Mikronetzen benötigt werden.

Infineon geht davon aus, dass das Marktvolumen für Halbleiter im Bereich der SSTs in den nächsten fünf Jahren bis zu eine Milliarde US-Dollar erreichen könnte. Haroon Inam, CEO und Co‑Founder von DG Matrix, erläutert den Part seines Unternehmens: „Unsere Multi-Port-Architektur wurde entwickelt, um das volle Leistungspotenzial von Siliziumkarbid auszuschöpfen. Die SiC‑Leistungshalbleiter von Infineon stärken unsere Lieferkette.“

Mit der zunehmenden Elektrifizierung und Digitalisierung steigt der weltweite Strombedarf und entstehen energieintensive Anwendungen wie KI-Rechenzentren. Um dieser Entwicklung zu begegnen, müssen moderne Stromnetze bei gleichbleibender Stabilität skalierbar sein. Hierfür sind leistungsstarke Halbleitertechnologien entscheidend.

Halbleiterbasierte Energieinfrastrukturlösungen der nächsten Generation, wie die SST‑Plattformen von DG Matrix, ermöglichen intelligentere, effizientere und zuverlässigere Netze. Die neuesten SiC‑Leistungshalbleiter von Infineon fungieren dabei als Schlüsseltechnologie. Sie bieten die Effizienz und Leistungsdichte, die für KI‑Rechenzentren, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energiesysteme und Mikronetze erforderlich sind.

Mit Blick auf die Zukunft erwarten beide Unternehmen eine fortgesetzte enge Abstimmung bei der Entwicklung der nächsten Generation von SiC-Bauelementen, während DG Matrix seine Technologie auf höhere Spannungsklassen und größere Produktionsvolumina ausrichtet. Die Integration der SiC‑Technologie von Infineon in die wachsende Interport‑Produktfamilie von DG Matrix unterstützt das gemeinsame Ziel, den weltweiten Einsatz skalierbarer, resilienter und effizienter Energieinfrastruktur für KI‑Rechenzentren und industrielle Anwendungen zu beschleunigen.

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