Samsung sorgt für Dynamic – 3bit-NAND-SSDs erobern die Datacenter

Die 3bit-NAND-SSDs für Rechenzentren gehen in die Massenproduktion

| Redakteur: Ulrike Ostler

Das Halbleiterlaufwerk bietet eine sequenzielle Lesegeschwindigkeit von 530 Megabyte pro Sekunde (MB/s) sowie eine sequenzielle Schreibgeschwindigkeit von 420 MB/s.
Das Halbleiterlaufwerk bietet eine sequenzielle Lesegeschwindigkeit von 530 Megabyte pro Sekunde (MB/s) sowie eine sequenzielle Schreibgeschwindigkeit von 420 MB/s. (Bild: Samsung Semiconductor Europe GmbH)

Samsung Electronics Co. Ltd. hat mit der Massenproduktion der ersten 3bit-NAND-basierten SSDs für Server und Rechenzentren begonnen. Die Technik soll es Datacenter ermöglichen, den Workload in Bezug auf Soziale Netzwerke, Web Browsing und E-Mail zu verbessern, und die Arbeitseffizienz ihrer Nutzer zu steigern.

Erste Installationen der 3bit-MLC (MLC = Multi-Level-Cell) NAND-SSDs sind zunächst in großen Rechenzentren zu erwarten. Samsung rechnet damit, dass es bereits später in diesem Quartal Implementierungen geben soll.

Mit dem Produkt PM853T will sich Samsung eine starke Position bei hocheffizienten SSDs für große Rechenzentren sichern.
Mit dem Produkt PM853T will sich Samsung eine starke Position bei hocheffizienten SSDs für große Rechenzentren sichern. (Bild: Samsung Semiconductor Europe GmbH)

Ganz neu ist die Produktion von 3bit NAND-basierten SSDs nicht. Im vergangenen Jahr führte der koreanische Konzern die Technik für PCs ein. Jetzt sagt Young-Hyun Jun, Executive Vice President Memory Sales und Marketing bei Samsung Electronics: „Wir gehen davon aus, dass das SSD-Marktwachstum eine neue Dynamik erhält, da die neuen SSDs wesentliche Verbesserungen bezüglich der Investitionseffizienz in Rechenzentren bietet“, und setzt hinzu: „Dies wird zu einem späteren Zeitpunkt des Jahres zur vollwertigen Kommerzialisierung von SSDs in IT-Systemen führen.“

Die neuen SSDs mit der Bezeichnung „PM853T“ sind mit Kapazitäten von 240 Gigabyte (GB), 480 GB und 960GB verfügbar. Sie eignen sich für den Einsatz in großen Rechenzentren, die Online-Dienstleistungen wie Social Media, Internet Browsing und E-Mail erbringen.

Alles auf Masse

Die 3bit-SSDs bieten eine hohe Random IOPS-Leistungsfähigkeit (IOPS = Inputs/Output pro Sekunde) und „Quality of Service“ (QoS). Beides ist wichtig für Server-Anwendungen in Rechenzentren und Clouds. Angesichts dieser Vorteile erwartet Samsung, dass sich die Einbindung von 3bit-SSDs in Rechenzentren den Austausch von 2bit-SSD-Produkten stark vorantreiben wird.

Durch die Verbreiterung der Marktbasis für SSDs werden die neuen SSD-Modelle PM853T IT-Verantwortlichen erlauben, ihre SSD-Upgrades zu Investitionen ähnlich denen bei Consumer-SSDs zu optimieren. Beim PM853T wurde eine Steigerung der Fertigungseffizienz von 30 Prozent gegenüber SSDs mit 2bit NAND-Flash-Komponenten erreicht.

Hergestellt mit Samsungs 10 Nanometer (nm)-Class* 3bit NAND-Flash-Komponenten und basierend auf jüngster Controller-Technologie bietet das neue Halbleiterlaufwerk eine sequenzielle Lesegeschwindigkeit von 530 Megabyte pro Sekunde (MB/s) sowie eine sequenzielle Schreibgeschwindigkeit von 420 MB/s. Außerdem liest das SSD Daten wahlfrei mit 90.000 IOPS. Es ermöglicht wahlfreie Schreibvorgänge von 14.000 IOPS im Dauerbetrieb.

Die Marktchancen

Seit der Produktion des 3bit NAND-basierten „840 EVO SSD“ im Jahr 2012 hat Samsung die Führungsposition als Anbieter von SSDs für ultradünne Notebooks und PCs übernommen. Mit dem Produkt PM853T sichert sich das Unternehmen eine starke Position bei hocheffizienten SSDs für große Rechenzentren.

Laut eines Marktforschungsberichts von IHS iSuppli soll der weltweite SSD-Markt um etwa 30 Prozent wachsen. Von 9,4 Milliarden Dollar in 2013 auf 12,4 Milliarden Dollar im Jahr 2014. Weiter heißt es in dem Bericht, dass auch in den kommenden Jahren der SSD-Markt hohe Wachstumsraten erreichen und im Jahr 2017 bei 20 Milliarden Dollar angelangt sein wird.

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